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    英特爾Sapphire Rapids部分特性曝光 采用MCM設計

    據外媒 adoredtv 報道,英特爾即將推出的 Sapphire Rapids 系列服務器處理器基于 10nm+ 工藝、采用 MCM 設計,將具有最高 56 個核心,支持 4 路并聯,支持 HBM2,TDP 最高可達 400 瓦。

    英特爾確認其 Sapphire Rapids 系列處理器將于 2021 年推出,將支持 DDR5 內存和 PCIe 5.0,并采用 CXL 1.1 連接,是 "下一代" 數據中心芯片。

    IT之家了解到,英特爾計劃在今年晚些時候發布 OneAPI 以統一其數據中心生態系統。

    Sapphire Rapids 系列處理器將采用 Golden Cove 核心,最高 56 核,但 adoredtv 稱英特爾可能屏蔽了 4 個內核以提高收益。

    除 PCIe 5.0 和 DDR5 外,Sapphire Rapids 系列處理器將提供 80 條 PCIe 通道,支持 CXL,支持高達 4800 MHz 的 DDR5 內存,每顆 CPU 可提供 8 個內存通道,支持傲騰內存。

    其他方面,Sapphire Rapids 系列處理器將采用 MCM 設計,單片擁有 14/15 個內核,并將支持 HBM2,將提供 4 個 HBM2e 堆棧,最大內存可達 64 GB(4×16GB),堆棧總帶寬可達 1 TB/s。

    根據外媒的消息來源,HBM2 和 DDR5 將能夠在平面、2LM 緩存和混合模式下協同工作。

    對于 TDP,外媒表示 Sapphire Rapids 系列處理器可達 300 和 400 瓦,作為對比,AMD EPYC 7H12 上限為 280W。

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    責任編輯:Rex_01

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